两款47N60 MOSFET寄生二极管反向恢复测试

DI-1000测试47N60内寄生二极管的反向恢复时间

一 官方数据

二 IF=23A dIF/dt=100A/us反向电压600V实测波形

   

            图1 正向电流                         图2 反向恢复电流斜率

          图3 反向恢复时间ta 图4 反向恢复时间tb

三 反向恢复电荷获取

使用示波器存储csv功能，将波形图存储为excel打开格式，如图5所示

图5 csv格式波形存储

使用积分计算恢复电荷，对恢复电流部分的波形电荷求和

获得结果为：2.98uC

四 结果分析

官方数据正向电流为23A，反向恢复电流斜率100A/uS;反向恢复时间为小于650nS；恢复电荷19uC；

DI-1000测试正向电流23A，反向恢复电流斜率100A/uS;恢复时间ta为194nS，恢复时间tb为36nS，trr为230nS，恢复电荷2.98uC；被测器件的性能大大优于官方参数。 

五 第二款47N60 测试 IF=23A dIF/dt=100A/us反向电压100V实测波形（600V 500V反向使用会损坏，500V~100V反向使用不知道会不会损坏）

   

            图1 正向电流                         图2 反向恢复电流斜率

          图3 反向恢复时间ta 图4 反向恢复时间tb

六 反向恢复电荷获取

使用示波器存储csv功能，将波形图存储为excel打开格式，使用积分计算恢复电荷，对恢复电流部分的波形电荷求和。

获得结果为：11.9488uC

七 结果分析

官方数据正向电流为23A，反向恢复电流斜率100A/uS;反向恢复时间为小于650nS；恢复电荷19uC；

DI-1000测试正向电流23A，反向恢复电流斜率100A/uS;恢复时间ta为380nS，恢复时间tb为78nS，trr为458nS，恢复电荷11.9488uC；虽然被测试器件的性能未超过官方参数，但是器件正常工作时耐压只能到100V左右（200V 300V400V未知），依然是一个不合格品。