DIODE-1200A-Ifsm是我司研发出来的新产品，无论是在产品外观上还是性能的稳定性上相对于同类产品都有独特的优势。该测试仪能除了8.3mS、10mS 两个常规的脉冲宽度外，还可以在0.5mS~10mS范围内调节脉冲宽度；除了半波正弦常规的脉冲波形外，还可以选择方波波形；既可以直接进行单次测量，又可以进行多次测量，方便测试器件的重复冲击老化情况；该测试仪器可以和电脑软件连接，通过电脑采集，单点采集和多点采集，单点电流电压波形和多点的电流电压曲线；器件自身改进采用液晶显示界面，可以观察电流、电压波形，读取电流电压的幅度值等等，仪器还配置了示波器连接测量电

DF-200A正向压降测试仪是专为测量包括二极管、MOS管、IGBT、毫欧电阻等电子器件正向压降而设计，分为0.01-0.1A、0.1~1A、1~10A、10~100A四个档位，测量范围更广。
0.01~0.1A：小电流硅堆、（高压二极管：定制60V）、0.1A内的小电流MOS管和二极管、LED、10~100Ω电阻等测试；
0.1~10A：中小功率二极管、MOS管、0.1~1Ω电阻；
10~100A：大功率二极管、MOS管、IGBT管、0~0.1Ω电阻、开关触点压降稳定性测试

应用范围
A：大功率IGBT             B：大功率场效应管（Mosfet）
C：大功率二极管          D：标准低阻值电阻
E：其他测试应用

 应用范围
A：大功率IGBT               B：大功率场效应管（Mosfet）
C：大功率二极管            D：大功率双极型晶体管（外接基极偏置电流）
E：标准低阻值电阻        F：其他测试应用

DIODE-600A-Ifsm是我司研发出来的新产品，无论是在产品外观上还是性能的稳定性上相对于同类产品都有独特的优势。该测试仪能除了8.3mS、10mS 两个常规的脉冲宽度外，还可以在0.5mS~10mS范围内调节脉冲宽度；除了半波正弦常规的脉冲波形外，还可以选择方波波形；既可以直接进行单次测量，又可以进行多次测量，方便测试器件的重复冲击老化情况；该测试仪器可以和电脑软件连接，通过电脑采集，单点采集和多点采集，单点电流电压波形和多点的电流电压曲线；器件自身改进采用液晶显示界面，可以观察电流、电压波形，读取电流电压的幅度值等等，仪器还配置了示波器连接测量电流。

主要特点
A：测量多种IGBT、MOS管            B：最大脉冲电流1200A
C：脉冲宽度 50uS~300uS              D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V                  F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件                  H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降